Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Dvornikov О$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Dvornikov О. V. 
The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures [Електронний ресурс] / О. V. Dvornikov, V. А. Tchekhovski, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Радіотехніка. Радіоапаратобудування. - 2016. - Вип. 66. - С. 87-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_rr_2016_66_11
Розглянуто вольтамперні характеристики (ВАХ) n-p-n SiGe біполярних транзисторів в діапазоні температур від мінус 195 до 25 °C, що виготовлені за технологічним маршрутом SGB25V фірми IHP. Описано експериментальну установку, методику вимірювань і особливості ввімкнення транзисторів для усунення ефекту самозбудження. Особливу увагу приділено температурним залежностям статичного коефіцієнту підсилення струму бази в схемі з спільним емітером βF і вихідної ВАХ транзистора в схемі зі спільним емітером.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.283 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Dvornikov О. V. 
The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors [Електронний ресурс] / О. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, V. А. Tchekhovski // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Радіотехніка. Радіоапаратобудування. - 2017. - Вип. 71. - С. 40-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_rr_2017_71_9
Розглянуто вплив гамма-випромінювання радіонукліда 60Co на найбільш важливі для аналогових мікросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторів техпроцесу SGB25V: напруга на прямозміщеному емітерному переході, залежність статичного коефіцієнта передачі струму бази в схемі із спільним емітером (СЕ) від емітерного струму, вихідна характеристика в схемі з СЕ.
Попередній перегляд:   Завантажити - 618.004 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського